Поиск: 
Расширенный поиск | Последние запросы
FREE-REFERATS.ru

Банк бесплатных рефератов

Бесплатные рефераты > Темы > Микроэлектроника > Реферат "Принцип работы МДП-транзисторов"

Рефераты по Микроэлектроника - "Принцип работы МДП-транзисторов"

Страница: 1 2 3 4
Принцип работы МДП-транзисторов
Скачать реферат "Принцип работы МДП-транзисторов"
Содержание



   
      

Принцип работы МДП-транзисторов

@ ВВОДНАЯ ЧАСТЬ
@----------------- ПРИНЦИП РАБОТЫ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ --------------------
В последние годы большое место в электронике заняли приборы,
использующие явления в приповерхностном слое полупроводника. Основным
элементом таких приборов является структура
Металл-Диэллектрик-Полупроводник /МДП/. В качестве диэллектрической
прослойки между металлом и полупроводником часто используют слой
оксида, например диоксид кремния. Такие структуры носят название
МОП-структур. Металлический электрод обычно наносят на диэллектрик
вакуумным распылением. Этот электрод называется затвором.
Если на затвор подать некоторое напряжение смещения относительно
полупроводника , то у поверхности полупроводника возникает область
объемного заряда, знак которой противоположен знаку заряда на затворе.
В этой области концентрация носителей тока может существенно
отличаться от их объемной концентрации.
Заряжение приповерхностной области полупроводника приводит к
появлению разности потенциалов между нею и объемом полупроводника и,
следовательно, к искривлению энергетических зон. При отрицательном
заряде на затворе, энергетические зоны изгибаются вверх, так как при
перемещении электрона из объема на поверхность его энергия
увеличивается. Если затвор заряжен положительно то зоны изгибаются
вниз.
Hа рисунке 1 показана зон-
ная структура n-полупроводни-
ка при отрицательном заряде на
затворе и приведены обозначе-
ния основных величин, характе-
ризующих поверхность; -раз-
ность потенциалов между повер-
хностью и объемом полупровод-
ника; - -изгиб зон у повер-
хности; ................. -се-
редина запрещенной зоны. Из
рисунка 2 видно, что в объеме
полупроводника расстояние от
дна зоны проводимости до уров-
ня Ферми меньше расстояния от
уровня Ферми до потолка вален-
тной зоны. Поэтому равновес-
ная концентрация электронов
больше концентрации дырок: как
и должно быть у n-полупровод-
ников. В поверхностном слое
объемного заряда происходит
искревление зон и расстояния
от дна зоны проводимости до
уровня Ферми по мере перемеще-
ния к поверхности непрерывно
увеличивается, а расстояние до
уровня Ферми до потолка вален-
тной зоны непрерывно
уменьшается. В сечении АА эти
расстояния становятся одинако-
выми (..................) и
полупроводник становится соб-
ственным: n=p=n. Правее сече-
ния АА ............. , в сед-
ствии чего p>n и полупровод-
ник становится полупроводни-
ком р-типа. У поверхности об-
разуется в этом случае повер-
хностный p-n переход.
Часто изгиб зон у поверх-
ности выражают в единицах kT
и обозначают Ys. Тогда ....................... .
При формировании приповерхностной области полупроводника могут
встретиться три важных случая: обеднение, инверсия и обогащение этой
области носителями заряда. Эти случаи для полупроводников n- и p-типа
представлены на рис. 3.
Обедненная область появляется в том случае, когда заряд затвора
по знаку совпадает со знаком основных носителей тока (рис.3 а,г). Выз-
ванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от
уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике n-типа и до
вершины валентной зоны в полупроводнике p-типа. Увеличение этого рас-
стояния сопровождается обеднением приповерхностной области основными
носителями. При высокой плотности заряда затвора, знак которого совпа-
дает со знаком заряда основных носителей, по мере приближения к повер-
хности расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупро-
воднике n-типа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости.
Вследствии этого, концентрация неосновных носителей заряда /дырок/ у
поверхности полупроводника становится выше концентрации основных носи-
телей и тип проводимости этой области изменяется, хотя и электронов и
дырок здесь мало, почти как в собственном полупроводнике. У самой по-
верхности, однако, неосновных носителей может быть столько же или да-
же больше, чем основных в объеме полупроводника. Такие хорошо проводя-
щие слои у поверхности с типом проводимости, противоположным объемно-
му, называют инверсионными (рис.3 б,д). К инверсионному слою вглубь от
поверхности примыкает слой обеднения.
Если знак заряда затвора противоположен знаку заряда основных но-
сителей тока в полупроводнике, то под его влиянием происходит притяже-
ние к поверхности основных носителей и обогащение ими приповерхностно-
го слоя. Такие слои называются обогащенными (рис. 4 в,е).
При слабом обогащении или обеднении приповерхностной области по-
лупроводника ее размер определяется так называемой дебаевской длинной
экранирования:
где: .......-диэлектрическая проницаемость полупроводника; ......

Страница: 1 2 3 4

© 2003-2016 Free-Referat.ru - Рефераты, Курсовые, Дипломы, Доклады, Шпаргалки
Notice: Undefined index: r in /home/bitrix/ext_www/free-referat.ru/index.php on line 264 Notice: Undefined index: in /home/bitrix/ext_www/free-referat.ru/index.php on line 264